基本的電磁兼容控制技術(shù) | ||||||||||||||||||||||
電源適配器最常用也是最基本的電磁兼容控制技術(shù)是屏蔽、濾波、接地。此外平衡技術(shù)、低電平技術(shù)等也是電磁兼容的重要控制技術(shù)。隨著新工藝、新材料、新產(chǎn)品的出現(xiàn),電磁兼容控制技術(shù)也得到不斷的發(fā)展。
1.屏蔽
IEC(國(guó)際電工委員會(huì))有兩個(gè)平等的組織制訂 EMC 標(biāo)準(zhǔn),即 CISPR(國(guó)際無(wú)線電干擾特別委員會(huì))和 TC77(第 77 技術(shù)委員會(huì))。 CENELEC(歐洲電工標(biāo)準(zhǔn)化委員會(huì))由歐共體委員會(huì)授權(quán)制訂歐洲標(biāo)準(zhǔn) EN(European Norm)。 FCC(美國(guó)聯(lián)邦通信委員會(huì))主要制訂民用標(biāo)準(zhǔn),關(guān)于電磁兼容的標(biāo)準(zhǔn)主要包括在 FCC Part15 和 FCC Part18 中。 MIL-STD 是美國(guó)軍用標(biāo)準(zhǔn)。 德國(guó)的 VDE(電氣工程師協(xié)會(huì))是世界上最早建立電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)的組織之一。 日本的 VCCI(干擾自愿控制委員會(huì))是民間機(jī)構(gòu),其標(biāo)準(zhǔn)與 CISPR 和 IEC標(biāo)準(zhǔn)一致。 我國(guó)的 EMC 標(biāo)準(zhǔn)化工作是在國(guó)家技術(shù)監(jiān)督局的領(lǐng)導(dǎo)下進(jìn)行的。 國(guó)內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)以GB、 GB/T 開(kāi)頭。我國(guó)自從 1983 年發(fā)布第一個(gè) EMC 標(biāo)準(zhǔn)(GB3907-1983)以來(lái),至今已發(fā)布了 47 個(gè)有關(guān)的國(guó)家標(biāo)準(zhǔn),其中 32 個(gè)強(qiáng)制, 15 個(gè)推薦。我國(guó)的 EMC 標(biāo)準(zhǔn)絕大多數(shù)引進(jìn)國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)。其來(lái)源包括: 國(guó)際無(wú)線電干擾特別委員會(huì)出版物。例如 GB/T6113, GB14023 國(guó)際電工委員會(huì)。例如 GB4365, GB/T13926 部分引自美國(guó)軍用標(biāo)準(zhǔn)。例如 GB15540 部分引自國(guó)際電信聯(lián)盟有關(guān)文件。例如 GB/T15658 引自國(guó)外先進(jìn)標(biāo)準(zhǔn)。例如 GB6833 根據(jù)我國(guó)自己的科研成果制定的標(biāo)準(zhǔn),例如GB/T15708為了世界貿(mào)易的需要,我國(guó)的很多電源適配器EMC標(biāo)準(zhǔn)都采用了CISPR和IEC標(biāo)準(zhǔn)。實(shí)際上,世界上大多數(shù)國(guó)家采用CISPR和IEC的標(biāo)準(zhǔn)。
電源適配器EMC標(biāo)準(zhǔn)擬訂的理論基礎(chǔ)
圖1-2 EMC標(biāo)準(zhǔn)擬訂的理論基礎(chǔ)
電源適配器EMI和EMS是相互對(duì)立的兩個(gè)方面,上圖說(shuō)明,設(shè)備的EMI極限值與EMS極限值之間應(yīng)該留有足夠的余量(IM),即設(shè)備EMI發(fā)射要小于其抗擾度(EMS),這樣設(shè)備才有足夠的抗干擾能力。另一方面,設(shè)備的EMI、EMS實(shí)測(cè)值應(yīng)該與極限值之間有足夠的余量。比如在EN300 386標(biāo)準(zhǔn)中,輻射發(fā)射的極限值(EMI Limit)為40dBuV/m,而輻射抗擾度極限值為130dBuV。由此可見(jiàn),EMI、EMS極限值之間余量的重要性。
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| 發(fā)布時(shí)間:2018.06.11 來(lái)源:華為技術(shù) |
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