輻射EMI的抑制措施

      功率開關(guān)管的集電極是一個(gè)強(qiáng)干擾源,開關(guān)管的散熱片應(yīng)接到開關(guān)管的發(fā)射極上,以確保集電極與散熱片之間由于分布電容而產(chǎn)生的電流流入主電路中。為減少散熱片和機(jī)殼的分布電容,散熱片應(yīng)盡量遠(yuǎn)離機(jī)殼,如有條件的話,可采用有屏蔽措施的開關(guān)管散熱片。

      整流二極管應(yīng)采用恢復(fù)電荷小,且反向恢復(fù)時(shí)間短的,如肖特基管,最好是選用反向恢復(fù)呈軟特性的。另外在肖特基管兩端套磁珠和并聯(lián)RC吸收網(wǎng)絡(luò)均可減少干擾,電阻、電容的取值可為幾Ω和數(shù)千pF,電容引線應(yīng)盡可能短,以減少引線電感。實(shí)際使用中一般采用具有軟恢復(fù)特性的整流二極管,并在二極管兩端并接小電容來消除電路的寄生振蕩(如圖4所示)。

電源適配器必須屏蔽,采用模塊式全密封結(jié)構(gòu),建議用1mm以上厚度的鍍鋅鋼板,屏蔽層必須良好接地。在高頻脈沖變壓器初、次級(jí)之間加一屏蔽層并接地,可以抑制干擾的電場(chǎng)耦合。將高頻脈沖變壓器、輸出濾波電感等磁性元件加上屏蔽罩,可以將磁力線限制在磁阻小的屏蔽體內(nèi)。

經(jīng)過上述改進(jìn)后,該電源適配器就可以通過輻射干擾測(cè)試的限值要求。

EMI濾波器的發(fā)展趨勢(shì)

      90年代以來,隨著電子設(shè)備小型化和表面組裝技術(shù)的發(fā)展,電子元器件向小型化、片式化、復(fù)合化、多功能和高性能化發(fā)展,各種表面組裝元件逐漸成為電子元件的主流產(chǎn)品。因此,目前擺在傳統(tǒng)EMI濾波器面前的一個(gè)不可回避的問題是如何適應(yīng)電子設(shè)備小型化的發(fā)展需求。目前,國(guó)際片式EMI濾波器以信號(hào)濾波器為主,可運(yùn)用于電源適配器的EMI濾波器較少。

      有效抑制開關(guān)電源適配器噪聲的新一代EMI濾波器應(yīng)該是由有效的共、差模扼流圈和若干電容組成的相關(guān)電路,為了減小體積,這些電感、電容元件應(yīng)盡可能采用片式元件。以采用片式電容、電感為主的新一代EMI濾波器的出現(xiàn)和發(fā)展將是歷史的必然。與標(biāo)準(zhǔn)模塊電源適配器的發(fā)展歷史一樣,新一代EMI濾波器也應(yīng)該向標(biāo)準(zhǔn)模式電路的方向發(fā)展。由于目前直流系列片式電容發(fā)展迅速,所以新一代直流系列EMI濾波器的發(fā)展有可能成為現(xiàn)實(shí)。