器件選型與輻射發(fā)射

電磁兼容問題很難解決嗎？防止電磁干擾技術(shù)是高不可攀的技術(shù)難題嗎？都不是，關(guān)鍵是人們對(duì)EMC 沒有足夠的重視。特別是一些電子、 電工產(chǎn)品生產(chǎn)廠家，缺乏 EMC 意識(shí)，缺乏 EMC 對(duì)策技術(shù)知識(shí)，同時(shí)， 為了降低成本，在產(chǎn)品的設(shè)計(jì)制造過程中，在應(yīng)該使用抗電磁干擾電子元件的地方卻沒有使用，以致使產(chǎn)品出現(xiàn) EMC 問題。在解決電磁兼容問題、 貫徹 EMC 標(biāo)準(zhǔn)過程中，合理的選擇元件器往往被人們忽略，但元器件選型對(duì)于系統(tǒng)的輻射發(fā)射具有重大的影響。

器件導(dǎo)致EMI的原因

大家知道，電磁干擾必須包含三個(gè)要素，即電磁干擾源、電磁干擾傳遞途徑（傳導(dǎo)、輻射、耦合）、及接受電磁干擾的響應(yīng)者。這三個(gè)要素相當(dāng)復(fù)雜，不同的場(chǎng)合有不同的表現(xiàn)，總起來說，根據(jù)電磁感應(yīng)、趨膚效應(yīng)、電磁振蕩與電磁波傳播等基本物理規(guī)律可知，電磁物理量隨時(shí)間變化越快，越容易感生電磁干擾；頻率越高越容易產(chǎn)生輻射；電磁場(chǎng)強(qiáng)度與距離平方成反比；一些靈敏度高的未屏蔽電路容易產(chǎn)生耦合等等。隨著數(shù)字電路的告訴發(fā)展，電子元器件的發(fā)展趨勢(shì)具有如下幾個(gè)特點(diǎn)。

1 高頻化

近年來，電子產(chǎn)品向高頻化發(fā)展的趨勢(shì)十分明顯。譬如LANSWITCH 工作時(shí)鐘達(dá)到 125MHz， 傳輸產(chǎn)品最高工作頻率已經(jīng)達(dá)到 1GHz 以上。信號(hào)頻率越高，越容易產(chǎn)生輻射和耦合，而且越難抑制和屏蔽，致使電磁干擾加劇。

2 高速數(shù)字化

數(shù)字電路是常見的電磁干擾源，同時(shí)數(shù)字電路的抗電磁干擾能力較弱，在電磁干擾下有時(shí)會(huì)產(chǎn)生誤動(dòng)作，隨著數(shù)字電路的高速化，脈沖信號(hào)的上升/下降時(shí)間不超過信號(hào)周期的 5％， 這樣陡的快速跳變信號(hào)包含了更多的頻率更高的高次諧波分量。 這樣，就更容易產(chǎn)生電磁干擾。

3 高密度組裝

高密度組裝的SMT 電路，以及密度更高的 MCM 組裝方式，大大提高了電子元器件、 IC、機(jī)電部件的堆積密度，使電子元器件間的距離大大縮小，引腳間距和布線間距已縮小到 0.2mm，大大加劇了相互間的耦合，因而增加了抗電磁干擾的難度。

4 低電壓化

我們當(dāng)然希望我們的一塊單板上實(shí)現(xiàn)盡量多的功能，這樣就需要節(jié)省電源和縮小體積，要求IC 及半導(dǎo)體有源器件的工作電壓降低，向低電壓方向發(fā)展。但是電壓降低之后，它們對(duì)瞬變電壓、浪涌電壓、靜電放電等電磁干擾的抵抗能力明顯下降，因而對(duì)電磁環(huán)境提出了更高的要求。反之， 對(duì)電子產(chǎn)品對(duì)外的干擾水平有了更為嚴(yán)格的要求。