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電磁屏蔽理論

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電磁屏蔽理論

屏蔽效能的感念
屏蔽是利用屏蔽體來阻擋或減小電磁能傳輸?shù)囊环N技術(shù)，是抑制電磁干擾的重要手段之一。屏蔽有兩個(gè)目的，一是限值內(nèi)部輻射的電磁能量泄漏出該內(nèi)部區(qū)域，二是防止外來的輻射干擾進(jìn)入某一區(qū)域。

電磁場(chǎng)通過金屬材料隔離時(shí)，電磁場(chǎng)的強(qiáng)度將明顯降低，這種現(xiàn)象就是金屬材料的屏蔽作用。我們可以用同一位置無屏蔽體時(shí)電磁場(chǎng)的強(qiáng)度與加屏蔽體之后電磁場(chǎng)的強(qiáng)度之比來表征金屬材料的屏蔽作用，定義


屏蔽效能（Shielding Effectiveness，簡稱 SE）：

SE = 20lg（E1/E2） ，電場(chǎng)的屏蔽效能

SE = 20 lg（H1/H2） ，磁場(chǎng)的屏蔽效能
式中： E1, H1為無屏蔽體時(shí)的電場(chǎng)強(qiáng)度和磁場(chǎng)強(qiáng)度，
E2, H2為有屏蔽體時(shí)的電場(chǎng)強(qiáng)度和磁場(chǎng)強(qiáng)度。


屏蔽體上孔縫的影響
實(shí)際上，屏蔽體上面不可避免地存在各種縫隙、開孔以及進(jìn)出電纜等各種缺陷，這些缺陷將對(duì)屏蔽體的屏蔽效能有急劇的劣化作用。
上節(jié)中分析的理想屏蔽體在 30MHz 以上的屏蔽效能已經(jīng)足夠高，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過工程實(shí)際的需要。真正決定實(shí)際屏蔽體的屏蔽效能的因素是各種電氣不連續(xù)缺陷，包括：縫隙、開孔、電纜穿透等。
屏蔽體上面的縫隙十分常見，特別是目前機(jī)柜、插箱均是采用拼裝方式，其縫隙十分多，如果處理不妥，縫隙將急劇劣化屏蔽體的屏蔽效能。


電纜的屏蔽設(shè)計(jì)
如果導(dǎo)體從屏蔽體中穿出去，將對(duì)屏蔽體的屏蔽效能產(chǎn)生顯著的劣化作用。這種穿透比較典型的是電纜從屏蔽體中穿出。
電纜穿透的作用是將屏蔽體內(nèi)外通過導(dǎo)線連通，等效于兩個(gè)背靠背的天線，對(duì)屏蔽體的屏蔽有極大的影響。


為了避免電纜穿透對(duì)屏蔽體的影響，可以從幾個(gè)方面采取措施：
采用屏蔽電纜時(shí)，屏蔽電纜在出屏蔽體時(shí)，采用夾線結(jié)構(gòu)，保證電纜屏蔽層與屏蔽體之間可靠接地，提供足夠低的接觸阻抗。
采用屏蔽電纜時(shí)，用屏蔽連接器轉(zhuǎn)接將信號(hào)接出屏蔽體，通過連接器保證電纜屏蔽層的可靠接地。
采用非屏蔽電纜時(shí)，采用濾波連接器轉(zhuǎn)接，保證電纜與屏蔽體之間有足夠低的高頻阻抗。
采用非屏蔽電纜時(shí)，電纜在屏蔽體的內(nèi)側(cè)（或者外側(cè)）要足夠短，使干擾信號(hào)不能有效地耦合出去，從而減小了電纜穿透的影響。
電源線通過電源濾波器出屏蔽體，保證電源線與屏蔽體之間有足夠低的高頻阻抗。



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| 發(fā)布時(shí)間：2018.06.12    來源：電源適配器廠家
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