開(kāi)關(guān)電源波形產(chǎn)生原理分析

其實(shí)米勒效應(yīng)描述的就是電子器件中輸出和輸入之間的電容反饋。

其實(shí)對(duì)于第③點(diǎn)波形的分析我自己覺(jué)得我的分析還不是很有說(shuō)服力，所以借此和大家探討第③點(diǎn)波形（為什么會(huì)有負(fù)電流產(chǎn)生？），希望大家不要吝嗇自己獨(dú)到的見(jiàn)解。晚上有時(shí)間上傳本人②④波形的分析。

上面的實(shí)測(cè)波形就是普通的反激式，電流采樣電阻就是接在MOS的S腳。
畫(huà)個(gè)大概的原理圖，這個(gè)相信大家都做過(guò)。

上圖中，Ls為漏感，Lm為激磁電感，Cs為分布電容，Cd和Cds分別為肖特基和MOS的結(jié)電容。
下面分析②點(diǎn)電流尖峰波形產(chǎn)生的原因：
在開(kāi)關(guān)導(dǎo)通之前，輸入電壓和電感的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)對(duì)結(jié)電容Cds和分布電容Cs進(jìn)行了充電，
在Q1接通的瞬間，Cs和Cds瞬間放電,產(chǎn)生電流（①路線(xiàn)和③路線(xiàn)）疊加到MOS管。
如果是反激的話(huà)，次級(jí)關(guān)斷，D1由于結(jié)電容產(chǎn)生反向恢復(fù)電流，經(jīng)過(guò)線(xiàn)圈反射到初級(jí)，
如上圖的②路線(xiàn)。如果是DCM模式，由于二極管中在MOS導(dǎo)通前已經(jīng)沒(méi)有電流存在了，
所以在DCM中這部分尖峰電流沒(méi)有。
總結(jié)一下：就是由上面的①②③個(gè)通路產(chǎn)生了開(kāi)通瞬間的那個(gè)電流尖峰。

實(shí)際探頭接的就是MOS的S腳和GND，能量通過(guò)MOS，為什么電流不到S腳！電流到了S腳，自然有一部分電流通過(guò)采樣電阻。
第二個(gè)問(wèn)題的確是筆誤，CCM模式下才會(huì)有那個(gè)反向恢復(fù)電流。
上個(gè)圖大家就明白了：

我說(shuō)一下我的見(jiàn)解，現(xiàn)在有一種很熱的ZVS技術(shù)，即零電壓開(kāi)關(guān)，在LCD中用的很多。
為什么這種技術(shù)會(huì)誕生，就是為了解決MOS的開(kāi)通損耗，
為什么會(huì)有開(kāi)通損耗呢，那就是因?yàn)镸OS的結(jié)電容，
為什么MOS的結(jié)電容會(huì)造成損耗呢，就是像第①點(diǎn)波形的分析過(guò)程，增加了開(kāi)關(guān)導(dǎo)通時(shí)間，（關(guān)于MOS的損耗問(wèn)題大家請(qǐng)參考《精通開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)》書(shū)籍）。
所以說(shuō)，新的技術(shù)要誕生，就要知道舊的技術(shù)的不足之處根本在哪！

你的說(shuō)了是阻尼振蕩了，所以那個(gè)波形的幅度離Vin+Vor肯定是越來(lái)越遠(yuǎn)啊。只有個(gè)類(lèi)似正弦波的峰值可以達(dá)到Vin+Vor.

其實(shí)還有一個(gè)波形沒(méi)有分析，就是Vds上的個(gè)電壓尖峰，這個(gè)波形相信大家都比較熟悉，跟上面那個(gè)分析方法類(lèi)似，如有不明白再問(wèn)。

好了，就剩第③點(diǎn)波形了，通過(guò)上面的三個(gè)波形分析，電源適配器生產(chǎn)廠家希望各位能人能發(fā)表自己對(duì)那個(gè)負(fù)電流的見(jiàn)解？

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