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36W電源適配器EMI整改方案

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36W電源適配器EMI整改方案

電源適配器廠家玖琪為大家分享一款36W電源適配器的EMI整改案例，輸出12V/3A，多圖對比，整改花費(fèi)時(shí)間3周。

變壓器繞法一：Np1→VCC→Ns1→Ns2→銅屏蔽0.9Ts→Np2
PCB關(guān)鍵布局：Y電容地→大電容地，變壓器地→Vcc電容→大電容地
注：變壓器所有出線沒有交叉

圖一（115Vac）


圖一所示可以看到，130-200M處情況并不樂觀；
130-200M主要原因在于PCB布局問題和二次側(cè)的肖特基回路，改其它地方作用不大，肖特基套磁珠可以完全壓下來，圖忘記保存了。
為了節(jié)約成本，公司并不讓我這樣做，因?yàn)樘状胖橛绊懥顺杀荆?dāng)即NG掉此PCB布局，采用圖一a方式PCB關(guān)鍵布局走線。


變壓器繞法不變：Np1→VCC→Ns1→Ns2→銅屏蔽0.9Ts→Np2
PCB關(guān)鍵布局：Y電容地→變壓器地→大電容地
注：變壓器內(nèi)部的初級出線及次級出線有交叉
圖一a （115Vac）


圖一a可以看出，改變PCB布局后130M-200M已經(jīng)完全被衰減，但是30-130M沒有圖一效果好，可能變壓器出線無交叉好一些。仔細(xì)觀察，此IC具有抖頻功能，傳導(dǎo)部分頻段削掉了一些尖峰；


圖一b（230Vac）


圖一b可以看到，輸入電壓在230Vac測試時(shí)，65M和83M位置有點(diǎn)頂線（紅色線）


圖一b-1（230Vac）


原邊吸收電容由471P加大到102P，65M位置壓下來一點(diǎn)，后面還是有點(diǎn)高，如圖一b-1所示；

圖一b-2（230Vac）


變壓器屏蔽改成線屏蔽（0.2*1*30Ts）,后面完全衰減，如圖一b-2；


圖一b-3（115Vac）


115Vac輸入測試，后面150M又超了，發(fā)克！高壓好了低壓又不行，惱火啊！看來這招不行；


圖一b-4（115Vac）


變壓器屏蔽還是換成銅箔屏蔽（圈數(shù)由0.9Ts改成1.3Ts），效果不錯(cuò)，如圖一b-4所示。

圖一b-5（230Vac）


115Vac輸入測試，測試通過。
結(jié)論：
一：變壓器出線需做到不交叉；
二：Y電容回路走線越短越好先經(jīng)過變壓器地再回到大電容地，不與其它信號線交叉；



1.韓國電源適配器VCC上的整流二極管，這個(gè)對輻射影響也是很大的。
一個(gè)慘痛案例，一款過了EMI的產(chǎn)品，余量都有4dB以上，量產(chǎn)很多次了，其中有一次量產(chǎn)抽檢EMI發(fā)現(xiàn)輻射超1dB左右，不良率有50%，經(jīng)過層層排查、一個(gè)個(gè)元件對換。最終發(fā)現(xiàn)是VCC上的整流二極管引發(fā)的問題，更換之前的管子（留低樣品），余量有4dB。對不良管子分析，發(fā)現(xiàn)管子內(nèi)部供應(yīng)商做了鏡像處理。


2.一個(gè)冷知識，如何測量PCB的銅箔厚度？

方法：在PCB板上找一條光滑且長的線條，測量其長度L，再測寬度W，再用DC源加1A電流在其兩端測得壓降U
依據(jù)電阻率公式得出以下公式：
  
例：取一段PCB銅箔，長度L為40mm，寬度為10mm，其通過1A電流兩端壓降為0.005V，求該段銅箔厚度為多少um？

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| 發(fā)布時(shí)間：2019.04.24    來源：電源適配器廠家
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